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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
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橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀

發(fā)布時(shí)間:  2024-08-11

產(chǎn)品型號(hào):  GDAT-A

產(chǎn)品報(bào)價(jià):  

廠(chǎng)商性質(zhì):  生產(chǎn)廠(chǎng)家

所  在  地:  北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)

產(chǎn)品特點(diǎn):  橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn)為GB1409音頻。高頻的介電常數(shù)測(cè)定??蓪?duì)橡膠、塑料、巖石、玻璃等絕緣材料進(jìn)行測(cè)試。反應(yīng)材料的有功損耗和無(wú)功損耗。

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產(chǎn)品概述

橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀Q表能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠(chǎng)等單位。A/C高頻Q表是北廣精儀儀器設(shè)備有限公司Z研制的產(chǎn)品,它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號(hào)源,頻率達(dá)60MHz/160MHz,信號(hào)源具有信號(hào)失真小、頻率精確、信號(hào)幅度穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn),更保證了測(cè)量精度的精確性。A主電容調(diào)節(jié)用傳感器感應(yīng),電容讀數(shù)精確,且頻率值可設(shè)置。C主電容調(diào)節(jié)用步進(jìn)馬達(dá)控制,電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設(shè)置。A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示,在某一頻率下,只要能找到諧振點(diǎn),都能直接讀出電感、電容值,大大擴(kuò)展了電感的測(cè)量范圍,而不再是固定的幾個(gè)頻率下才能測(cè)出電感值的大小。A/C*的諧振點(diǎn)頻率自動(dòng)搜索或電容自動(dòng)搜索功能,能幫助你在使用時(shí)快速地找到被測(cè)量器件的諧振點(diǎn),自動(dòng)讀出Q值和其它參數(shù)。Q值量程可手動(dòng)或自動(dòng)轉(zhuǎn)換。

 

橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn): 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~160MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線(xiàn)性電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣,由測(cè)微圓筒線(xiàn)性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

 

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線(xiàn)性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

 

 

介電體(又稱(chēng)電介質(zhì))Z基本的物理性質(zhì)是它的介電性,對(duì)介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義,而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機(jī)理的重要分析手段之一,探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料,對(duì)電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)(又稱(chēng)電容率)是反映材料特性的重要參量,電介質(zhì)極化能力越強(qiáng),其介電常數(shù)就越大。測(cè)量介電常數(shù)的方法很多,常用的有比較法,替代法,電橋法,諧振法,表法,直流測(cè)量法和微波測(cè)量法等。各種方法各有特點(diǎn)和適用范圍,因而要根據(jù)材料的性能,樣品的形狀和尺寸大小及所需測(cè)量的頻率范圍等選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)量方法。

 

 

介質(zhì)材料的介電常數(shù)一般采用相對(duì)介電常數(shù)來(lái)表示,通常采用測(cè)量樣品的電容量,經(jīng)過(guò)計(jì)算求出,它們滿(mǎn)足如下關(guān)系:

            

式中為介電常數(shù),∑o為真空介電常數(shù),, S為樣品的有效面積,d為樣品的厚度,C為被測(cè)樣品的電容量,通常取頻率為1Khz時(shí)的電容量C。

 

 

替代法

替代法電路圖如下所示,將待測(cè)電容Cx(圖中Rx是待測(cè)電容的介電損耗電阻),限流電阻Ro(取1KΩ)、安培計(jì)與信號(hào)源組成一簡(jiǎn)單串聯(lián)電路。合上開(kāi)關(guān)K1,調(diào)節(jié)信號(hào)源的頻率和電壓及限流電阻Ro,使安培計(jì)的讀數(shù)在毫安范圍恒定(并保持儀器Z高的有效位數(shù)),記錄讀數(shù)Ix。將開(kāi)關(guān)K2打到B點(diǎn),讓標(biāo)準(zhǔn)電容箱Cs和交流電阻箱Rs替代Cx,調(diào)節(jié)Cs和Rs值,使Is接近Ix。多次變換開(kāi)關(guān)K2的位置(A.B 位),反復(fù)調(diào)節(jié)Cx和Rx,使Is=Ix。假定Cx上的介電損耗電阻Rx與標(biāo)準(zhǔn)電容箱的介電損耗電阻Rs相接近(Rx=Rs),則有Cx=Cs。

 

 

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器,為了提高測(cè)量精度,除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法。

1.測(cè)試注意事項(xiàng)

a.本儀器應(yīng)水平安放;

b.如果你需要較精確地測(cè)量,請(qǐng)接通電源后,預(yù)熱30分鐘;

c.調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開(kāi)關(guān)時(shí),當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào);

d.被測(cè)件和測(cè)試電路接線(xiàn)柱間的接線(xiàn)應(yīng)盡量短,足夠粗,并應(yīng)接觸良好、可靠,以減少因接線(xiàn)的電阻和分布參數(shù)所帶來(lái)的測(cè)量誤差;

e.被測(cè)件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時(shí)可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;

f.手不得靠近試件,以免人體感應(yīng)影響造成測(cè)量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線(xiàn)柱。

2.高頻線(xiàn)圈的Q值測(cè)量(基本測(cè)量法)

 

 

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