北京直銷介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀

GDAT-A型

北京直銷介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀技術(shù)參數(shù)：

1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱誤差
     頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：
     固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%
     工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%
2．電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mH
3．電容測(cè)量：1~205
     主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF
     準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%
     注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)后頁(yè)使用說(shuō)明
4.  信號(hào)源頻率覆蓋范圍
     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz,

CH2: 1～9.99999MHz,    

 CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,
5．Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍：5～1000。
6．B-測(cè)試儀正常工作條件
a.  環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
b．相對(duì)濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

是根據(jù)GB/T 1409《測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》（等效采用IEC 60250）設(shè)計(jì)和制造的，并符合JB 7770等試驗(yàn)方法。它適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測(cè)試。

測(cè)量范圍及誤差

    本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿足

下列表中的技術(shù)指示要求。

    在Cn＝100pF    R4＝3183.2（W）（即10K/π）時(shí) 

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0～1              ±1.5％tgdx±0.0001

    在Cn＝100pF      R4＝318.3（W）（即1K/π）時(shí)

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0～0.1          ±1.5％tgdx±0.0001

2.2  電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過(guò)程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度，

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量

成正比。

    在下面的計(jì)算公式中，用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這

個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中：Ｕ為測(cè)量電壓                     伏特（Ｖ）

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法（pＦ）

          Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10            安培（Ａ）

          Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆（W）

          Ｒ４橋臂R4電阻值3183                 歐姆（W）

          Ｃｘ被測(cè)試品電容值                    皮法（ｐF）

2.3 電容量及介損顯示精度：

    電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。

    介  損： ±0.5％tgdx±1×10-4

2.4 輔橋的技術(shù)特性：

    工作電壓±12V，50Hz

    輸入阻抗>1012 W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

    不失真跟蹤電壓  0～12V（有效值）

2.5 指另裝置的技術(shù)特性：

    工作電壓±12V

    在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格

    二次諧波  減不小于25db

    三次諧波  減不小于50db

特點(diǎn)：
◆ 優(yōu)化的測(cè)試電路設(shè)計(jì)使殘值更小
◆ 高頻信號(hào)采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)
◆ LED 數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù)，手動(dòng)/自動(dòng)量程切換
◆ 自動(dòng)掃描被測(cè)件諧振點(diǎn)，標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定，大大提高測(cè)試速度